Der hohe Wirkungsgrad in Verbindung mit dem erweiterten Betriebstemperaturbereich von -20 … +80°C ermöglicht einen Einsatz des Verstärkermoduls auch unter suboptimalen Kühlbedingungen. Eine Übertemperaturabschaltung bei +80°C (mit automatischer Wiedereinschaltung) schützt das Modul vor Überhitzung. Darüber hinaus toleriert der HF Ausgang beliebige Fehlanpassung, ohne dass es dadurch zu Instabilität oder Beschädigung kommt.
Neben der Standardvariante mit +28V Betriebspannung (Version A) ist das Verstärkermodul auch mit Weitbereichs-Versorgungsspannungseingang (Version B, +10 … +50V Betriebsspannung) erhältlich.
Am Modul werden niederohmige Monitoring-Ausgänge zur Messung und Überwachung von vor- und rücklaufender Leistung sowie der Betriebstemperatur bereitgestellt. Die Betriebsspannungszuführung und Bereitstellung von Steuer- und Monitoringsignalen erfolgt über ein robustes I/O-Interface (9poliger Sub-D Stecker) mit Schutz gegen Verpolung, Überspannung und EMI.
KU PA 200270-10 B, GaN-HEMT Leistungsverstärker
Durch den Einsatz von GaN HEMT Technologie erreicht das Verstärkermodul bei 10W Ausgangsleistung eine Energieeffizienz größer 40% über der gesamten Bandbreite von 2000 - 2700MHz.
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Technische Spezifikationen
Frequenzbereich | 2000..2700 MHz |
Maximale Eingangsleistung | +30 dBm |
Ausgangsleistung P3dB | 40 dBm (min.) (CW) |
10 W (min.) (CW) | |
Verstärkung (Kleinsignal) | 47,5 dB (typ.) |
Welligkeit (Kleinsignal) | +/-0,75 dB (typ.) |
Rauschzahl @ 18 °C | 1,5 dB (typ.) |
Oberwellenunterdrückung | 40 dB (typ.) |
Übertemperaturschutz | ja |
IM3 (2) | 30 dBc (typ.) @ 40 dBm PEP |
Wirkungsgrad | 40 % (typ.) @ P3dB |
Eingangsanpassung (S11) | 13 dB (typ.) |
Einschaltspannung | +3 ... +50 V DC |
Versorgungsspannung | +10 ... 50 V DC |
Ruhestrom | 160mA (typ.) @ 28V DC |
Stromaufnahme | 3 A (max.) @ 10V DC |
Detektion vorl. Leistung | ja (Log. Detektor) |
Detektion rückl. Leistung | Ja (Log. Detektor) |
VSWR der Last | beliebig |
Betriebstemperatur (Gehäuse) | -20 ... +80 °C |
Eingang / Impedanz | SMA-Buchse / 50 Ohm |
Ausgang / Impedanz | SMA-Buchse / 50 Ohm |
Gehäuse | gefrästes Aluminium |
Abmessungen (mm) | 85 X 85 X 40 |
Gewicht | 500 g (typ.) |
Beschreibung
Durch den Einsatz von GaN HEMT Technologie erreicht das Verstärkermodul bei 10W Ausgangsleistung eine Energieeffizienz größer 40% über der gesamten Bandbreite von 2000 - 2700MHz. Der Verstärker ist temperaturkompensiert und weist trotz hoher Verstärkung (47dB) eine sehr geringe Welligkeit von typischerweise +/-0,75dB über der gesamten Bandbreite auf.Der hohe Wirkungsgrad in Verbindung mit dem erweiterten Betriebstemperaturbereich von -20 … +80°C ermöglicht einen Einsatz des Verstärkermoduls auch unter suboptimalen Kühlbedingungen. Eine Übertemperaturabschaltung bei +80°C (mit automatischer Wiedereinschaltung) schützt das Modul vor Überhitzung. Darüber hinaus toleriert der HF Ausgang beliebige Fehlanpassung, ohne dass es dadurch zu Instabilität oder Beschädigung kommt.
Neben der Standardvariante mit +28V Betriebspannung (Version A) ist das Verstärkermodul auch mit Weitbereichs-Versorgungsspannungseingang (Version B, +10 … +50V Betriebsspannung) erhältlich.
Am Modul werden niederohmige Monitoring-Ausgänge zur Messung und Überwachung von vor- und rücklaufender Leistung sowie der Betriebstemperatur bereitgestellt. Die Betriebsspannungszuführung und Bereitstellung von Steuer- und Monitoringsignalen erfolgt über ein robustes I/O-Interface (9poliger Sub-D Stecker) mit Schutz gegen Verpolung, Überspannung und EMI.
Features
- Hohe Effizienz und Bandbreite
- Sehr geringe Welligkeit, Rauschzahl und gute Oberwellenunterdrückung über gesamte Bandbreite
- Robustes I/O-Interface über Sub-D Stecker mit Monitoring-Ausgängen für vor- und rücklaufende Leistung sowie Temperatur
- Erweiterter Betriebstemperaturbereich -20 … +80°C
- Mit Weitbereichs-Versorgungsspannungseingang +10 … 50V erhältlich (Version B)
Anwendungen
- Plasmaerzeugung und Mikrowellenheizung in verfahrenstechnischen und wissenschaftlichen Anwendungen
- Messtechnik, EMV-Test
- Radar
- Jammer
- Analoge & Digitale Übertragungssysteme
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