Technische Spezifikationen
Frequenzbereich | 4400..5000 MHz |
Eingangsleistung für P1dB | typ. 8 dBm |
Maximale Eingangsleistung | +13 dBm |
Ausgangsleistung P1dB | typ. 40 dBm, min. 39 dBm (CW) |
typ. 10 W, min. 8 W (CW) | |
Ausgangsleistung COFDM (1) | typ. 34,7 dBm, min. 34 dBm |
typ. 3 W, min. 2 W | |
Automatic level control (ALC) | ja (einstellbare ALC) |
Verstärkung (Kleinsignal) | min. 35 dB |
Welligkeit (Kleinsignal) | typ. +/- 1,5 dB |
Oberwellenunterdrückung | typ. 50 dB, min. 40 dB @ 40 dBm |
VSWR Schutz | Isolator |
Übertemperaturschutz | ja |
IM3 (2) | typ. 34 dBc @ 37 dBm PEP |
typ. 26 dBc @ 40 dBm PEP | |
Wirkungsgrad | typ. 25 % @ 40 dBm (CW) |
Einschaltspannung | +5 ... 14 V DC |
Versorgungsspannung | +12 ... 14 V DC |
Ruhestrom | typ. 3,2 A |
Stromaufnahme | max. 4 A |
Detektion vorl. Leistung | ja (Dioden-Detektor) |
Detektion rückl. Leistung | ja (Dioden-Detektor) |
Betriebstemperatur (Gehäuse) | -20 ... +55 °C |
Eingang / Impedanz | SMA-Buchse / 50 Ohm |
Ausgang / Impedanz | SMA-Buchse / 50 Ohm |
Gehäuse | gefrästes Aluminium |
Abmessungen (mm) | 158 x 60 x 20 |
Gewicht | 320 g (typ.) |
(1) | Gemessen mit QAM 64, Einzelträger, EVM: 2% |
(2) | Gemessen mit 2-Ton, Frequenzabstand: 1 MHz |
Features
- GaAs-FET-Technologie
- Hohe Linearität
- Niedrige EVM
- Isolator zum Schutz vor zu hohem Ausgangs-VSWR
- Einstellbare ALC (automatic level control)
- Verpolungsschutz
- Übertemperaturschutz
- Detektorausgänge für vor- und rücklaufende Leistung (DC-Spannung)
- Ein- / Ausschalten mit Logikpegel (ON bei 5 ... 14 V)
Anwendungen
- Digitale Rundfunk- und Übertragungssysteme (DVB, WiMAX)
- COFDM-Systeme mit Modulationsarten QPSK, QAM
- Analoge Übertragungssysteme
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